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  • 一种新型半导体元件直接自动上料机构
    摘要:本实用新型涉及一种新型半导体元件直接自动上料机构,包括底板、过料块、过料块支撑座、材料分离机构、吸料块、检测机构、安全打开机构。其特征在于:所述材料分离机构包括分离针导向块及分离针机构,所述过料块安装在所述过料块支撑座上,所述吸料块与所述检测机构固定在所述材料分离机构上,所述材料分离机构、所述安全打开机构与所述过料块支撑座都安装在所述底板上,构成完整的新型半导体元件直接自动上料机构。采用从过料块直接将半导体元件转移至下一工序的机构中,并带有安全打开机构和检测机构,结构简单,上料速度更快,更符合目前电子元器件的制作工艺,应用性更广。
  • 抗浪涌型表面贴装半导体器件
    摘要:本实用新型一种抗浪涌型表面贴装半导体器件,其第一连接片两端通过焊锡跨接于第二二极管芯片的负极端和第一二极管芯片的正极端之间,第二连接片两端通过焊锡跨接于第三二极管芯片的负极端和第四二极管芯片的正极端之间;第一金属条位于环氧封装体内的一端与第一连接片中部电连接,第二金属条位于环氧封装体内的一端与第二连接片中部电连接;第一金属条、第二金属条各自另一端均从环氧封装体一侧延伸出分别作为第一交流输入端和第二交流输入端,第一金属基片、第二金属基片位于环氧封装体外侧的一端从环氧封装体内延伸出分别作为直流负极端和直流正极端。本实用新型厚度薄在1.2mm以内,充分利用了PCB板自身的散热能力,该产品为散热片结构,产品瞬时散热能力好,正向浪涌能力强。
  • 夹持机构和包括夹持机构系统
    摘要:夹持机构和包括夹持机构的系统。夹持机构用于向电气部件的堆提供第一轴向方向上的夹持力,包括:套筒构件,用于至少部分地容置在固定板的板开口中并且用于在第一轴向方向和与第一轴向方向相反的第二轴向方向上在板开口中相对运动,套筒构件具有用于被紧定螺钉螺纹接合的至少部分地设置有螺纹的套筒开口;弹簧构件,构造成与套筒构件接合并且在套筒构件上提供第一轴向方向上的力;以及锁定构件,构造成与套筒构件可释放地接合以锁定套筒构件防止沿第一轴向方向朝固定板相对运动。由此提供具有简单且可靠的结构、以简单的安装和/或操作以向电气部件堆提供夹持力并且保持该夹持力的夹持机构。
  • 一种自带散热风扇的MOS三极管
    摘要:本实用新型公开了一种自带散热风扇的MOS三极管,包括上壳体、栅极外接安装片、下壳体、散热风扇,上壳体外表面设置有散热风扇,散热风扇下方设置有变压器,上壳体下方是下壳体,上壳体与下壳体内部中央填充有栅极金属,栅极金属上表面连接到栅极外接安装片,栅极外接安装片中央开设有三极管安装孔,栅极金属下表面填充有氧化物,氧化物底部填充半导体,半导体一侧的内部分别填充有漏极和源级,漏极金属、漏极和源级外部分别连接有引脚。有益效果在于:能够实现MOS管工作的时候同步控制散热风扇的工作,边工作边上散热,无需添加风扇的额外控制电路,延长了晶体管的使用寿命。
  • 一种芯片封装结构
    摘要:本实用新型公开了一种芯片封装结构,涉及半导体封装技术领域。该芯片封装结构包括基板,固定于所述基板上的芯片,设于芯片上方的保护盖板,以及将所述芯片与所述基板电连接的连接线,所述连接线两端通过焊接点分别与所述芯片和所述基板固定连接,所述芯片表面以及所述基板表面还覆盖有可固化的第一介质层,以将所述焊接点覆盖;所述第一介质层上方粘接所述保护盖板。本实用新型的芯片封装结构通过在芯片与基板的连接线焊接点上覆盖第一介质层,再将盖板固定在芯片之上,可避免连接线之间的短路或脱焊等问题。
  • 一种无引线式的新型封装IC芯片
    摘要:本实用新型公开了一种无引线式的新型封装IC芯片,包括下壳体、上端盖、引脚、端盖密封胶,下壳体边缘的上方安装有上端盖,下壳体与上端盖之间涂有端盖密封胶,下壳体的内部底面设置有散热基座,散热基座上表面填充有导热环氧树脂,导热环氧树脂上方安装有硅片,散热基座与硅片的四周涂有底部填充胶,硅片上表面分布有信号发射基点,上端盖内顶部安装有传导块,传导块的主体是一块传导基底,传导基底下表面分布有硅片安放点,传导块侧面设置有引脚。有益效果在于:传导块质地较为坚硬,避免了使用焊丝,减少了使用过程中因为焊丝的断裂引起的芯片故障。
  • 基板、基板的制造方法、半导体装置及电子设备
    摘要:本发明提供一种基板、基板的制造方法,半导体装置以及电子设备,该基板具有:设置于底层基板上的第一绝缘层、设置于第一绝缘层上的第二绝缘层、设置于第二绝缘层上的第三绝缘层及设置于第三绝缘层上的焊盘电极,形成贯通基板到达焊盘电极的孔,第一绝缘层中的该孔的直径大于第二绝缘层中的该孔的直径,第一绝缘层和第二绝缘层由彼此不同的材料形成,且第二绝缘层和第三绝缘层由彼此不同的材料形成。
  • 具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装
    摘要:本发明的实施例是针对于一种具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装及其制造方法。对铜层的两个表面进行半蚀刻以界定封装接触阵列和裸片附接焊盘。为了实现更佳的可靠性,将每个裸片附接焊盘完全嵌入密封材料以提供良好的机械锁定特征。在一些实施例中,所述接触包括四个有源拐角接触。
  • 免焊接端子的功率模块
    摘要:本发明涉及一种免焊接端子的功率模块,端子包括上部具有弹性的连接部分和带有轴肩的主体部分,端子的底面为齿形底面;外壳上设有对各端子主体部分进行导向的插孔,各插孔顶部具有与各端子轴肩对应的沉台,各端子设置在外壳各自对应的插孔内,端子的轴肩设置在沉台上,弹性绝缘压垫设置在外壳上部,盖板卡接安装在外壳上并压接在弹性绝缘压垫上,各端子穿过弹性绝缘压垫上各自对应的端子孔及盖板上各自对应的端子孔,弹性绝缘压垫压在各端子的轴肩处,将端子底部的齿形底面压接在覆金属陶瓷基板上,各端子的连接部分与驱动电路板的端子孔弹性相接。本发明结构合理,端子无需焊接,装配后各端子能与覆金属陶瓷基板可靠连接,工艺性好。
  • 一种用于铜金属压焊的新型焊盘结构
    摘要:本发明提供一种用于铜金属压焊的新型焊盘结构,该焊盘结构包含若干个以列阵形式排列的焊盘单元;焊盘单元包含设置在其边缘的框体,以及设置在该框体内的一个或若干个条状体。本发明的焊盘采用框体及其内部的条状体组合的结构,提高了焊盘的强度,使得不需要增加焊盘厚度,即可满足进行铜线压焊打线的强度要求,同时这种镂空的框架结构在提高焊盘强度的同时,也减少了制成焊盘所需的材料,节省成本,提高产品良率。
  • 器件及电子装置
    摘要:本发明提供一种能够减少残留在元件与基板之间的区域中的镀液的器件以及包括所述器件的电子装置,所述器件包括:基板;以及所安装的功能元件,功能元件包括电极。基板包括支撑基板,并在支撑基板上包括第一籽晶金属、第二籽晶金属及树脂组件,第一籽晶金属设置于与电极中的第一电极的部分或全部相对的区块中,并通过镀覆而连接至第一电极,第二籽晶金属设置于与电极中的第二电极的部分或全部相对的区块中,并通过镀覆而连接至第二电极,以及树脂组件设置于功能元件与支撑基板之间的层中,并用于将功能元件固定至支撑基板,且被设置成避开功能元件的位于第一籽晶金属与第二籽晶金属的相对侧部之间的端部的近旁。
  • 芯片封装及其制造方法
    摘要:本发明涉及芯片封装。实施例提供了芯片封装,该芯片封装可以包括引线框架,其具有管芯焊盘和多个引线指;第一芯片,连到管芯焊盘,该第一芯片经由第一组线接合被接合至一个或多个引线指;第二芯片,经由倒装芯片被接合至一个或多个引线指;和散热块,被附接至该第二芯片。
  • 半导体封装结构及其导线架
    摘要:本发明是有关于一种半导体封装结构及其导线架,该半导体封装结构包含一导线架、一芯片以及一封胶体,该导线架具有多个引脚,各该引脚具有一第一端部及一结合凸部,该第一端部具有一第一上表面,该结合凸部一体形成于该第一上表面且该结合凸部具有一环墙,该芯片设置于所述引脚上方,该芯片具有多个凸块及多个焊料,所述结合凸部嵌入于所述焊料以使所述焊料包覆所述结合凸部的所述环墙,且所述焊料覆盖所述第一上表面,该封胶体包覆该芯片及所述引脚。
  • 用于半导体器件的电极配置
    摘要:一种III-N半导体器件,其可以包括在III-N材料结构的表面上具有厚度的电极限定层。所述电极限定层具有带有侧壁的凹进部,所述侧壁包括多个阶梯。所述凹进部远离所述III-N材料结构的部分具有第一宽度,并且所述凹进部靠近所述III-N材料结构的部分具有第二宽度,第一宽度大于第二宽度。电极在所述凹进部中,所述电极包括在所述凹进部的侧壁之上的延伸部分。所述电极限定层的部分在所述延伸部分和所述III-N材料结构之间。所述侧壁相对于所述III-N材料结构的表面形成大约40度或更小的有效角。
  • 一种高转换效率的晶体硅太阳能电池
    摘要:本实用新型公开一种高转换效率的晶体硅太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,该电池由上至下依次包括正电极、减反膜、N+层、P型硅、Al背场和Ag背电极;N+层层叠在P型硅的上表面,减反膜层叠在N+层上表面,正电极穿过减反膜与N+层连接,正电极包括丝网印刷Ag正电极、喷墨印刷Ag正电极,丝网印刷Ag正电极固定在N+层上,喷墨印刷Ag正电极位于丝网印刷Ag正电极的上部;丝网印刷Ag正电极、喷墨印刷Ag正电极分别由主栅线和副栅线组成;Al背场层叠在P型硅的下表面,Ag背电极穿过Al背场与P型硅固定。该电池的复合副栅线高度更高,宽度更窄,可大大提高电池的电流密度,降低串联电阻,从而大大提升电池的转换效率。
  • 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置
    摘要:本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中,在基板(1011)上形成栅电极(1012a、1012b),其上被绝缘层(1013)覆盖。在绝缘层(1013)上,以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极(1014a、1014b)、漏电极(1014c、1014d)以及连接布线(1015)。连接布线(1015)与漏电极(1012c)连接。在绝缘层(1013)上形成有规定开口部(1016a~1016c)的隔壁(1016),以使得电极(1014a~1014d、1015)的各一部分露出。在开口部(1016)的内部,源电极(1014a)和漏电极(1014c)的表面积之和的X轴方向的中心(L3)与开口部(1016b)的底部的中心(L1)相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁(1016)、绝缘层(1013)、电极(1014a、1014c)的顺序由高变低。
  • 一种组合式电极及其三电平大功率模块
    摘要:本实用新型公开了一种组合式电极,包括负电极、第一中间电极、正电极和第二中间电极,其中负电极主体部与第一中间电极主体部、负电极连接部与第一中间电极连接部均平行正对设置,正电极主体部与第二中间电极主体部、正电极连接部与第二中间电极连接部也均平行正对设置,从而增大了负电极与第一中间电极之间、正电极与第二中间电极之间的正对面积,减小了负电极与第一中间电极之间、正电极与第二中间电极之间的电流回路面积,有效减小了组合式电极的杂散电感和损耗;本实用新型还公开了一种采用了该组合式电极的三电平大功率模块,有效减小了功率模块的杂散电感和损耗。
  • 一种能够二次使用的高强度引线框架
    摘要:本实用新型一种能够二次使用的高强度引线框架,包括框架本体、电镀层、塑封区和第一引脚,框架本体包括第一载片台、第二载片台和边框,第一载片台和第二载片台间设有间隙,第一载片台和第二载片台分别连接在边框一侧;第一引脚为数个,数个第一引脚呈矩形阵列在框架本体的边框外侧,第一引脚上设有第二引脚;电镀层设在框架本体和第一引脚两表面。通过上述技术方案后的有益效果是能够二次使用,提高了产品利用率,降低了使用成本,从而节约了资源,避免浪费。提高了使用寿命,降低了产品报废率,节省了生产资源。
  • 一种引脚组成的引线框架
    摘要:本实用新型一种引脚组成的引线框架,包括引脚组架,引脚组架为两个,两个引脚组架对接连接;引脚组架包括连接部和引脚连接部设在引脚上端,连接部上端设有第一滑槽,连接部下端设有第二滑槽,第二滑槽连接有两个限位板和数个引脚,引脚下方设有通孔。通过上述技术方案后的有益效果是当引线框架损坏时,可将其引脚拆卸下来,由两个完好的引脚进行组合,形成一个新的可以使用的引线框架,做到废物利用,二次利用,节约资源,避免浪费。
  • 串联式热处理装置
    摘要:本发明公开了一种串联式热处理装置。本发明的串联式热处理装置,在多个加热炉中分别设置多个加热器,而多个加热器分别独立地控制。因此,各加热炉的温度及彼此相邻的加热炉之间的温度,沿着基板的移送方向以缓慢的梯度发生线性变化,所以不存在基板因热冲击或热应力而损伤的风险。此外,本发明涉及的串联式热处理装置,抬起基板进行移送,因此基板与用于移送基板的组件之间无摩擦。从而防止产生摩擦引起的微粒(Particle),不会发生微粒导致基板损伤。此外,本发明涉及的串联式热处理装置,用于移送基板的组件之间不会有摩擦引起的磨损,从而能够准确地移送基板。因此,热处理基板时不会发生错误。所以根据本发明,能够提高基板的热处理工艺的生产率和可靠性。