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半导体装置结构和其制造的方法

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1、10.根据权利要求1所述的半导体装置结构, 其进一步包括: 源极和漏极, 所述源极和所述漏极安置在所。 9.根据权利要求1所述的半导体装置结构, 其中所述第一元素包括钛、 镍、 铂、 钴或其组 合。 8.根据权利要求1所述的半导体装置结构, 其中所述第一元素包括氧、 氮、 硅、 钛、 金或 其组合于所述第二部分的第二表面的高 程, 并且所述第二部分的所述第二表面与所述第二部分的所述第一表面相对。装置结构, 其中所述第一部分包括与所述第一表面相 对的第二表面, 所述第一部分的所述第二表面的高程小高程位于所述第一部分的所述第一表 面的高程与所述第二表面的高程之间。 7.根据权利要求4所述的半导体体。

2、装置结构, 其中所述第一部分包括与所述第一表面相 对的第二表面, 并且所述第二部分的所述第一表面的 其中所述第一部分的第一表面的高程小于 所述第二部分的第一表面的高程。 6.根据权利要求4所述的半导一部分的第一表面的高程大于 所述第二部分的第一表面的高程。 5.根据权利要求1所述的半导体装置结构,面的高程与所 述第二部分的第一表面的高程相同。 4.根据权利要求1所述的半导体装置结构, 其中所述第与所述第二 部分的第一表面共面。 3.根据权利要求1所述的半导体装置结构, 其中所述第一部分的第一表于所述第一元素的所述第二浓度。 2.根据权利要求1所述的半导体装置结构, 其中所述第一部分的第一表面 。

3、所述栅极结构安置在所述经掺杂III-V族层的所述第一部分上, 其中所述第 一元素的所述第一浓度不同部分, 所述第二部分邻近所述第一部分, 所述第二部分具有第二浓度的所述第一 元素; 以及 栅极结构,上, 所述经掺杂III-V族层 包括: 第一部分, 所述第一部分具有第一浓度的第一元素; 以及 第二, 所述阻挡层安置在所述沟道层上; 经掺杂III-V族层, 所述经掺杂III-V族层安置在所述阻挡层80 A 1.一种半导体装置结构, 其包括: 衬底; 沟道层, 所述沟道层安置在所述衬底上; 阻挡层页 说明书9页 附图16页 CN 111989780 A 2020.11.24 CN 1119897族。

4、层的所述第一部分上。 所述第一元素的所述 第一浓度不同于所述第一元素的所述第二浓度。 权利要求书3所述第 二部分邻近所述第一部分并且具有第二浓度的 所述第一元素。 栅极结构安置在所述经掺杂III V阻挡层上。 所 述经掺杂IIIV族层包含第一部分和第二部分。 所述第一部分具有第一浓度的第一元素。 。 所述沟道层安置在 所述衬底上。 所述阻挡层安置在所述沟道层上。 所述经掺杂IIIV族层安置在所述和其制造的方法 (57)摘要 一种半导体装置结构包含衬底、 沟道层、 阻 挡层以及经掺杂IIIV族层778(2006.01) H01L 21/335(2006.01) (54)发明名称 半导体装置结构律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王允方 (51)Int.Cl. H01L 29/5 广东省珠海市高新区金鼎工 业园金园二路39号 (72)发明人 周以伦 (74)专利代理机构 北京99871 2020.07.02 (71)申请人 英诺赛科 (珠海) 科技有限公司 地址 51908申请进入国家阶段日 2020.09.15 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/CN2020/021)申请号 202080001958.6 (22)申请日 2020.07.02 (85)PCT国际19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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本文标题:半导体装置结构和其制造的方法
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