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功率半导体器件

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1、掺杂区, 所述源极掺杂区上形成金属层。 8.根据权利要求1所述的功率半导体器件, 其特征在于, 所述入井深掺杂区, 位于所述第二柱状掺杂区上形成氧化层、 多晶硅层及介 电层, 所述井深掺杂区上注入源极.根据权利要求2所述的功率半导体器件, 其特征在于, 在所述主动区内, 位于所述第 一柱状掺杂区上注杂物是硼, 所述第二柱状掺杂区内的掺杂物的浓度在1*1014cm-35* 1015cm-3之间。 7状掺杂区内的掺杂物的浓度在1*1014cm-35*1015cm-3之间, 所述第 二柱状掺杂区内的掺权利要求5所述的功率半导体器件, 其特征在于, 所述第一柱状掺杂区内的掺杂 物是砷或磷, 所述第一柱。

2、间, 位于所述主动区以及所述终端区的所述第二柱状掺杂 区是以MOCVD方式所生长出的外延。 6.根据掺杂区通过注入或刻蚀然后再填入多晶硅的方式而成, 所述第一柱状掺 杂区的总高度在30 m100 m之5.根据权利要求2所述的功率半导体器件, 其特征在于, 位于所述主动区以及所述终端 区的所述第一柱状 位于所述终端区内的第一柱状 掺杂区形成的环状结构在角落位置的宽度与远离角落位置的宽度均保持一致。 为逐渐减小, 且远离角落位置的宽度保持一致。 4.根据权利要求2所述的功率半导体器件, 其特征在于,于, 位于所述主动区内的第一柱状 掺杂区形成的环状结构在角落位置的宽度到远离角落位置的宽度的变化趋势。

3、柱状掺杂区 和所述第二柱状掺杂区相邻且交替设置。 3.根据权利要求2所述的功率半导体器件, 其特征在 所述半导体基板包括在所述主 动区和所述终端区内均设置的第一柱状掺杂区和第二柱状掺杂区, 且所述第一率半径均等于所述主动区的环状结构的曲率半径。 2.根据权利要求1所述的功率半导体器件, 其特征在于,个环状结构曲率半径均相同, 所述终端区的每个环状结构的曲率半径均相同, 且所述终端 区的环状结构的曲于所述主动区的 外圈且环绕所述主动区设置, 所述主动区和所述终端区均包括环状结构, 所述主动区的每 板, 所述半导体基板被划分为主 动区和终端区, 所述主动区位于所述半导体基板的中心区, 所述终端区位。

4、.11.24 CN 111987147 A 1.一种功率半导体器件, 其特征在于, 包括: 半导体基效提升并控制击穿电压。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 111987147 A 2020端区的环状结构的曲率半径均等于所 述主动区的环状结构的曲率半径。 本发明提供的 功率半导体器件能够有, 所述主动区的每个环状结构的曲率半径均相同, 所述终端区的每个环状结构的曲率半径均相同, 且所述终区, 所述终端 区位于所述主动区的外圈且环绕所述主动区设 置, 所述主动区和所述终端区均包括环状结构 包括: 半导体基板, 所述半导体基板被划分为主动区和终端区, 所述 主动区位于所述半导体基板的中心功率半导体器件 (57)摘要 本发明涉及集成电路技术领域, 具体公开了 一种功率半导体器件, 其中,曹祖良陈丽丽 (51)Int.Cl. H01L 29/06(2006.01) (54)发明名称 一种振道孙明光朱伟东 (74)专利代理机构 无锡市大为专利商标事务所 (普通合伙) 32104 代理人 苏应能微电子有限公司 地址 213000 江苏省常州市新北区华山路8 号-5号楼 (72)发明人 李21)申请号 202011152113.5 (22)申请日 2020.10.26 (71)申请人 江19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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本文标题:功率半导体器件
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