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半导体结构及其制造方法

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半导体 结构 及其 制造 方法
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1、征在于, 对所述第二氧化层 进行平坦化处理前所述第二氧化层的厚度为11000埃14000埃。 9.根一氧化层的 厚度为8000埃10000埃。 8.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制造方法, 其特高密度等离子体沉积法形成。 7.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制造方法, 其特征在于, 所述第5000埃。 6.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制造方法, 其特征在于, 所述第一氧化层通 过体结构的制造方法, 其特征在于, 所述第三部分位于 所述第二部分上, 所述第三部分的厚度为4000埃位于 所述第一部分上, 所述第二部分的厚度为2500埃4500埃。 5.根据权利要求4所述的一种半导。

2、为200埃800埃。 4.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制造方法, 其特征在于, 所述第二部分体结构的制造方法, 其特征在于, 所述第一部分位于 所述顶层金属层和所述沟槽上, 所述第一部分的厚度 一顶层金属层, 所述第一氧化层形成于所述顶层金属层和所述沟槽上。 3.根据权利要求2所述的一种半导所述第二氧化层。 2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制造方法, 其特征在于, 所述层叠结构包括化层的 厚度; 对所述第二氧化层进行平坦化处理, 且在所述沟槽两侧的所述第一氧化层上保留预设 高度的分和所述第三部分的厚度不同; 形成第二氧化层于所述第一氧化层上, 所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧。

3、构上, 其中, 所述第一氧化层至少包括第一 部分, 第二部分和第三部分, 所述第一部分, 所述第二部以所述衬底作为停止层, 以在所述层叠结构中形成至少一个沟 槽; 形成第一氧化层于所述沟槽及所述层叠结的制造方法, 其特征在于, 包括: 提供一衬底, 所述衬底上包括一层叠结构; 刻蚀所述层叠结构, 并CN 111987006 A 2020.11.24 CN 111987006 A 1.一种半导体结构力造成裂纹, 从而避免金属裂纹的产生, 以 提高产品的良率。 权利要求书1页 说明书8页 附图4页 氧化层 上保留预设高度的所述第二氧化层。 本发明能够 避免由于产生对不同氧化层的研磨率不同而产 生应。

4、层的厚度大于所 述第一氧化层的厚度; 对所述第二氧化层进行平 坦化处理, 且在所述沟槽两侧的所述第一部分, 所述第二部分和 所述第三部分的厚度不同; 形成第二氧化层于所 述第一氧化层上, 所述第二氧化沟槽及所述层叠结构上, 其 中, 所述第一氧化层至少包括第一部分, 第二部 分和第三部分, 所述第一所述层叠结构, 并以所述衬底作为停止 层, 用以在所述层叠结构中形成至少一个沟槽; 形成钝化层于所述本发明公开了一种半导体结构及其制造方 法, 包括: 提供一衬底, 所述衬底上包括一层叠结 构; 刻蚀H01L 23/29(2006.01) (54)发明名称 一种半导体结构及其制造方法 (57)摘要 006.01) H01L 21/3105(2006.01) H01L 23/31(2006.01) 利事务所(普通 合伙) 31219 代理人 林凡燕 (51)Int.Cl. H01L 21/56(22号楼13层 1302-C54 (72)发明人 鲍丙辉曲厚任李倩娣 (74)专利代理机构 上海光华专芯成 (北京) 科技有限公司 地址 102199 北京市大兴区经济技术开发 区科创十三街29号院一区21)申请号 202011106408.9 (22)申请日 2020.10.16 (71)申请人 晶19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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本文标题:半导体结构及其制造方法
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