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垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED及其制备方法

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垂直 量子 结构 AlGaN 深紫 LED 及其 制备 方法
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1、挡层、 所述p-AlqGa1-qN层的方法为MOCVD、 MBE或HVPE中 的任意一种。 3.根据 所述i-AlyGa1-yN/i-AlzGa1-zN 多量子阱层、 所述i-AlpGa1-pN电子阻征在于, 生 长所述AlN模板、 所述n-AlxGa1-xN层、 所述n-AlrGa1-rN微米柱、 并快速热退火处理。 2.根据权利要求1所述的垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED的制备方法, 其特-qN层, 其中, pqz; 步骤12: 在所述p-AlqGa1-qN层的外侧沉积p型接触金属电极,挡层, 其中, py; 步骤11: 在所述i-AlpGa1-pN电子阻挡层的外侧生长p-AlqGa1。

2、: 在所述i-AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层的外侧生长i-AlpGa1-pN电子阻面外延i-AlyGa1-yN/i-AlzGa1-zN多量子阱层, 其 中, yz0.45; 步骤10rGa1-rN微米柱的上方制备第二绝缘介电掩膜层; 步骤9: 在所述n-AlrGa1-rN微米柱的侧rGa1-rN, 产生n-AlrGa1-rN微米柱, 其中, r0.45; 步骤8: 在所述n-Al米孔洞, 直至所述n-AlxGa1-xN层; 步骤7: 在刻有所述微米孔洞的全结构上继续外延n-Al; 步骤5: 在所述n型金属层上制备第一绝缘介电掩膜层; 步骤6: 在所述第一绝缘介电掩膜层上刻蚀微。

3、Ga1-xN层, 其中, x0.45; 步骤4: 在所述n-AlxGa1-xN层上制备n型金属接触层材料生长的衬底; 步骤2: 在所述衬底上生长AlN模板; 步骤3: 在所述AlN模板上生长n-Alx直量子阱结构AlGaN深紫外LED的制备方法, 其特征在于, 包括以下步骤: 步骤1: 提供一氮化物图1页 CN 111987194 A 2020.11.24 CN 111987194 A 1.一种垂于极化效应引起的量子阱区 域强内建电场, 从而提升器件的内量子效率。 权利要求书2页 说明书5页 附上述方法制备的垂直量子阱 结构AlGaN深紫外LED, 其多量子阱方向沿着非极 性面方向, 可避免由。

4、、 pAlqGa1qN层, 最后 沉积p型接触金属电极, 并快速热退火处理。 本发 明还提供一种采用米柱 的侧面依次外延iAlyGa1yN/iAlzGa1zN多量子 阱、 iAlpGa1pN电子阻挡层全结构上继续外延生长nAlrGa1rN微米柱、 制 备第二绝缘介电掩膜层, 再在nAlrGa1rN微制备n型金属接触层、 第一绝缘介电掩膜层, 再微米孔洞直至nAlxGa1xN层, 然后在微米孔洞 的备方法, 属于半导体技术领域, 包括 在衬底上依次生长AlN模板、 生长nAlxGa1xN层, 接着深紫外LED及其 制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种垂直量子阱结构AlGaN深 紫外LED的制10.01) H01L 33/00(2010.01) (54)发明名称 一种垂直量子阱结构AlGaN事 务所(普通合伙) 44316 代理人 曹卫良 (51)Int.Cl. H01L 33/06(20888号 (72)发明人 蒋科黎大兵孙晓娟张山丽 陈洋 (74)专利代理机构 深圳市科进知识产权代理国科学院长春光学精密机械与物 理研究所 地址 130033 吉林省长春市经济技术开发 区东南湖大路321)申请号 202011058528.6 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人 中19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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本文标题:垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED及其制备方法
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