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分栅式存储器的制造方法

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分栅式 存储器 制造 方法
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1、其特征在于, 所述控制栅层的厚度 为 5.根据权利要求1所述的分栅式存储器的制造方法, 其特征在于,包括依次 堆叠的氧化物层、 氮化物层和氧化物层。 4.根据权利要求1所述的分栅式存储器的制造方法, 化工艺形成 所述氧化层。 3.根据权利要求1所述的分栅式存储器的制造方法, 其特征在于, 所述介质层侧壁和所述介质 层的侧壁。 2.根据权利要求1所述的分栅式存储器的制造方法, 其特征在于, 采用热氧化层, 以暴露出所 述衬底的表面; 形成第四侧墙, 所述第四侧墙覆盖所述氧化层的侧壁、 所述浮栅层的多晶硅材料填充所述沟槽, 以形成字线; 去除所述硬掩膜层, 以及所述硬掩膜层底部的所述浮栅层和所述氧。

2、衬底的表面、 所述氧化 层的侧壁、 所述浮栅层的侧壁、 所述介质层的侧壁和所述第二侧墙的底部; 利用述浮栅层和所述氧化层并停止在所 述衬底上; 形成字线氧化层, 所述字线氧化层至少覆盖位于沟槽内的所述述第一侧墙和所述介质层之间的所述控制栅 层的顶部; 以所述第二侧墙为掩膜, 依次刻蚀所述介质层、 所盖位于所述沟槽内的所述控制栅层的侧壁和所述第一 侧墙的底部; 形成第三侧墙, 所述第三侧墙覆盖位于所墙为掩膜, 刻蚀位于所述沟槽内的所述控制栅层并停止在所述介质层 上; 形成第二侧墙, 所述第二侧墙覆覆盖所述介质层; 形成第一侧墙, 所述第一侧墙覆盖位于所述沟槽内的所述控制栅层的侧壁; 以所述第一侧。

3、槽; 依次形成介质层和控制栅层, 所述介质层覆盖所述浮栅层的露出部分和所述硬掩膜 层, 所述控制栅层 刻蚀所述硬掩膜层并停止在所述浮栅层上, 以形成分立的硬掩膜层, 相邻所述硬掩膜 层之间的区域形成沟存储器的制造方法包括: 提供一衬底, 在所述衬底上形成自下而上依次堆叠的氧化层、 浮栅层和硬掩膜层;11.24 CN 111987105 A 1.一种分栅式存储器的制造方法, 其特征在于, 所述分栅式寸无法缩小的问 题。 权利要求书2页 说明书7页 附图9页 CN 111987105 A 2020.分栅式存储器的尺寸, 解决 了分栅式存储器中由于控制栅引出端凸出在侧 墙之外, 导致分栅式存储器的尺。

4、和第四侧墙之间的控制栅层上引出, 而无需从第四侧墙外引出, 减少了第四侧墙外的 空间, 进而可以缩小后续控制栅在第一侧墙和第四侧墙之间, 如此 在形成插塞以对控制栅引出连接线时, 可以直接 从第一侧墙层并 形成第四侧墙。 通过先在浮栅层上形成硬掩膜 层, 再在硬掩膜层上形成介质层和控制栅层, 使 得墙和第三 侧墙, 刻蚀介质层、 浮栅层和氧化层并停止在衬 底上; 形成字线氧化层和字线; 去除硬掩膜 浮栅层和分立 的硬掩膜层; 依次形成介质层和控制栅层; 形成 第一侧墙并刻蚀控制栅层; 形成第二侧器的制造方法 (57)摘要 本发明提供一种分栅式存储器的制造方法, 包括: 在衬底上依次形成氧化层、788(2006.01) H01L 21/336(2006.01) (54)发明名称 一种分栅式存储理人 曹廷廷 (51)Int.Cl. H01L 27/11521(2017.01) H01L 29/(72)发明人 于涛 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 代海华虹宏力半导体制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技 园区祖冲之路1399号 21)申请号 202011052501.6 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 上19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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本文标题:分栅式存储器的制造方法
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