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用于连续单晶硅生长的带有孔的容器及孔的设计方法

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用于 连续 单晶硅 生长 带有 容器 设计 方法
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1、述通孔的横截面积之和0.1mm2S总5024mm2。 5.根据权利要求4所述的一种用于连续单晶硅生长有一个所述通孔时, 所述通孔的横截面积0.1mm2S5024mm2, 当具有多个所述通孔时, 所有所体空间内的熔 体进入所述晶体生长区的通孔, 所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体液面以下, 且当只 具熔体形成的单晶硅的生长速度数据; S3: 根据硅料纯度数据和生长速度数据在器壁上开设至少一个用于总熔法, 其特征在于, 包括如下 步骤: S1: 获取形成熔体的硅料纯度数据; S2: 获取晶体生长区内时, 所有所述通孔的横截面积之和S总2mm2。 4.一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器的孔的设计方。

2、速度K 2kg/h时, 若只有一个所述通孔, 则所述通孔的横截面积S2mm2, 若具有多个所述通孔 横截面积之和S总1mm2; 当形成熔体的硅料纯度99.999, 且晶体生长区内熔体形成的单晶硅的生长, 若只有一个所述通孔, 则所述通孔的横截面积S1mm2, 若具有多个所述通孔 时, 所有所述通孔的: 当形成熔体的硅料纯度99.99999, 且晶体生长区内熔体形成的单晶硅的生长速度 K5kg/h时间的距离h10mm。 3.根据权利要求1或2所述的一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器, 其特征在于的一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器, 其特征在于: 所述通孔的上沿与所述晶体生长区内的熔体液面之。

3、多个所述通孔时, 所有所述通孔的横截面积之和0.1mm2S总5024mm2。 2.根据权利要求1所述的熔体液面以下; 当只具有一个所述通孔时, 所述通孔的横截面积0.1mm2S5024mm2; 当具有少一个通孔; 所述通孔用于所述总熔体空间内的熔体进入所述晶体生长区内; 所述通孔位于所述晶体生长区内所围成的空间形成晶体生长区, 所述晶体生长区与所述总熔体空间同轴, 其特征在于: 所述器壁上加工有至9576 A 1.一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器, 包括设置在总熔体空间内的器壁, 所述 器壁求书1页 说明书6页 附图1页 CN 111979576 A 2020.11.24 CN 11197。

4、质点不 能进入坩埚内, 通孔实现了熔体的补充。 通孔的 尺寸实现更好的提高单晶体的生长良率。 权利要mm2S 5024mm2。 本发明通过在器壁上开设通孔实现了 晶体生长区的分隔, 得其外部未熔化的杂进入所述晶体生 长区内, 所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体 液面以下, 所述通孔的横截面积0 .1生长区与所述总熔体空间同 轴, 所述器壁上加工有至少一个通孔, 所述通孔 用于所述总熔体空间内的熔体及孔的设计方法, 包括设置在总熔体 空间内的器壁, 所述器壁所围成的空间形成晶体 生长区, 所述晶体硅生长的带有孔的容器 及孔的设计方法 (57)摘要 本发明提供一种用于连续单晶硅生长的带 有孔的容器/02(2006.01) C30B 29/06(2006.01) (54)发明名称 一种用于连续单晶12 代理人 李洪福 (51)Int.Cl. C30B 15/10(2006.01) C30B 15发明人 黎志欣逯占文李军孔德东 曹玉宝 (74)专利代理机构 大连东方专利代理有限责任 公司 212城凯克斯科技有限公司 地址 214000 江苏省无锡市锡山区锡北镇 锡港路张泾东段209号 (72)21)申请号 202011056642.5 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 连19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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本文标题:用于连续单晶硅生长的带有孔的容器及孔的设计方法
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