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高压ESD结构

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高压 ESD 结构
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1、部漏区其重掺杂N型区的边界 向其内部缩进1微米。 5.如权利要求1所述的高压ESD结构, 其特征是:部缩小, 使其与有源区边界的间距扩大。 4.如权利要求3所述的高压ESD结构, 其特征是: 所述的底 3.如权利要求1所述的高压ESD结构, 其特征是: 所述的底部漏区, 其重掺杂N型区的边 界向其内利要求1所述的高压ESD结构, 其特征是: 所述顶部漏区的有源区边界与接触孔 的距离不小于20微米。内侧还具有多晶硅层; 所述重掺杂P型区在垂直投影方向上向内 侧延伸且超过多晶硅层的外边界。 2.如权区域, 具有重掺杂P型区及重掺杂N型区; 所述重掺杂N型区与重掺杂P型区 抵靠接触, 重掺杂N型区的。

2、的底部漏区中, 处于最底端的漏区中不具有接触孔, 靠近中心区域的漏区中具有 两列接触孔; 在底部圆角一段距离; 所述的底部漏区, 包含有重掺杂N型注入区, 所述重掺杂N型注入区的边界小于有源区; 所述 所述的接触区, 分为左右两组、 每组有多个的接触孔, 所述的左右两组接触孔接触孔与 有源区边界具有所述顶部漏区 的区域, 其有源区中包含有接触区, 有源区的边界在接触区之外, 与接触区间隔一段距离;且超过多晶硅层的第一弧形 长边; 在位于圆角矩形的中心区域的漏区中, 划分为顶部漏区及底部漏区, 在P型区的内侧还具有同样呈弧形的多晶硅层, 所 述重掺杂P型区的第二弧形长边在垂直投影方向上向内侧延伸。

3、有靠外侧的第一弧形长边和靠内侧的第二弧形长边; 所述第二弧 形长边与重掺杂N型区接触; 所述重掺杂的弧形的重掺杂N型区及重掺杂P型区, 互相平行且抵靠接触; 所述弧形的重掺 杂P型区位于外侧, 且其具; 在俯视平面上, 将所述的圆角矩形划分为顶部圆角以及底部圆角; 在顶部圆角的弧形 区域, 具有都成漏区位于圆角矩形的中心区域, 多晶硅栅极环绕围成圆角矩形的图形; 所 述高压ESD结构为左右对称结构ESD结构, 其特征在于: 所述高压ESD结构为平面版图呈圆角矩形的MOS管结 构, 其中MOS管的8页 CN 111987094 A 2020.11.24 CN 111987094 A 1.一种高压。

4、重掺杂N型区与有源区边界重 叠。 本发明器件结构能提高ESD能力。 权利要求书1页 说明书3页 附图近中心区域的漏区中具有两列接触 孔; 在底部圆角区域, 其重掺杂N型区与重掺杂P 型区抵靠接触, 且重掺杂N型注入区, 所述重掺杂N型注入 区的宽度小于有源区; 处于最底端的漏区中不具 有接触孔, 靠, 顶部漏区中包含有接触区, 有源区的边界 在接触区之外, 与接触区间隔一段距离; 底部漏 区包含有形区域, 具有重掺杂N型区及重掺杂P型区, 互相 平行且抵靠接触; 将漏区划分为顶部漏区及底部 漏区圆角矩 形的中心区域; 在俯视平面上将所述的圆角矩形 划分为顶部圆角以及底部圆角; 在顶部圆角的弧 (57)摘要 本发明公开了一种高压ESD结构, 是平面版 图呈圆角矩形的MOS管结构, 其漏区位于健 (51)Int.Cl. H01L 27/02(2006.01) (54)发明名称 高压ESD结构(72)发明人 韦敏侠 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 代理人 焦海华虹宏力半导体制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技 园区祖冲之路1399号 21)申请号 202011049234.7 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 上19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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本文标题:高压ESD结构
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