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半导体结构和其制造方法

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半导体结构和其制造方法

结构。 11.根据权利要求1所述的半导体结构, 其中所述第一凹部(131)和所述第二凹部(132) 槽形、 圆 柱形或桩柱形。 10.根据权利要求1所述的半导体结构, 其中所述电极(14)包括梳或梳状14)的所述元素。 9.根据权利要求1所述的半导体结构, 其中所述第一凹部(131)包括支柱形、 沟步包括所述第二氮化物半导体层(13)中 的位错(111a), 其中所述位错(111a)包括所述电极(半导体结构, 其中所述金属氮化物包括氮化钛(TiN)。 8.根据权利要求1所述的半导体结构, 其进一6.根据权利要求3所述的半导体结构, 其中所述夹层(15)包括金属氮化物。 7.根据权利要求6所述的所述元 素。 5.根据权利要求3所述的半导体结构, 其中所述电极(14)的所述元素包括钛(Ti)。 电极(14)之间。 4.根据权利要求3所述的半导体结构, 其中所述夹层(15)包括所述电极(14)的 3.根据权利要求1所述的半导体结构, 其中夹层(15)安置在所述第二氮化物半导体层 (13)与所述根据权利要求1所述的半导体结构, 其中所述第一凹部(131)的深度范围从大约1nm 到大约30nm。)上且包括元素; 其中所述电极(14)安置在所述第一凹部(131)和所述第二凹部(132)中。 2.一凹部 (131)和第二凹部(132); 以及 电极(14), 其安置在所述第二氮化物半导体层(132)上且具有大于所述 第一氮化物半导体层(12)的带隙的带隙, 所述第二氮化物半导体层(13)形成第), 其安置在所述衬底(10)上; 第二氮化物半导体层(13), 其安置在所述第一氮化物半导体层(111989779 A 1.一种半导体结构(1), 其包括: 衬底(10); 第一氮化物半导体层(12利要求书3页 说明书10页 附图10页 CN 111989779 A 2020.11.24 CN 1在所述第二氮化物半导体层上且包括 元素, 其中, 所述电极安置在所述第一凹部和所 述第二凹部中。 权氮化物半导体层的带隙的带隙, 所述第二氮 化物半导体层形成第一凹部和第二凹部; 以及电 极, 其安置其安 置在所述衬底上; 第二氮化物半导体层, 其安置 在所述第一氮化物半导体层上且具有大于所述 第一 (57)摘要 提供一种半导体结构和其制造方法所述半 导体结构包含: 衬底; 第一氮化物半导体层, 2006.01) H01L 21/335(2006.01) (54)发明名称 半导体结构和其制造方法L 29/417(2006.01) H01L 29/45(2006.01) H01L 21/329(06.01) H01L 29/30(2006.01) H01L 29/41(2006.01) H0129/778(2006.01) H01L 29/861(2006.01) H01L 29/06(20 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王允方 (51)Int.Cl. H01L 5 广东省珠海市高新区金鼎工 业园金园二路39号 (72)发明人 郝荣晖黄敬源 (74)专利代理机构02173 2020.07.15 (71)申请人 英诺赛科 (珠海) 科技有限公司 地址 51908申请进入国家阶段日 2020.09.08 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/CN2020/121)申请号 202080001825.9 (22)申请日 2020.07.15 (85)PCT国际19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日

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