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光波导制备方法及光波导

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光波导制备方法及光波导

领域 0001 本发明涉及增强现实领域, 特别涉及一种光波导制备方法及光波导。 背景技术 0002 备得到。 权利要求书 1/1 页 2 CN 111983752 A 2 光波导制备方法及光波导 技术厚度。 10.一种光波导, 其特征在于, 所述光波导由如权利要求1至9任一项所述的光波导制备 方法制在于, 所述于所述待刻蚀基体一侧涂覆 光刻胶的步骤中, 涂覆所述光刻胶的厚度小于或等于所述目标光栅的掩膜的形貌, 并预留所述纳米压印掩膜的刻蚀公差余量。 9.如权利要求1所述的光波导制备方法, 其特征, 在执行于所述待刻蚀基体一侧涂 覆光刻胶的步骤之后, 所述光波导制备方法还包括: 预设所述纳米压印导制备方法, 其特征在于, 所述衬底为玻璃衬底。 8.如权利要求1所述的光波导制备方法, 其特征在于述的光波导制备方法, 其特征在于, 所述衬底的折射率大于或等于 1.7。 7.如权利要求5所述的光波的光波导制备方法, 其特征在于, 所述衬底与所述待刻蚀基体为无 机材料一体形成。 6.如权利要求5所要求3所述的光波导制备方法, 其特征在于, 所述薄膜层为透明金属氧化物制 成。 5.如权利要求1所述形成薄膜层, 所述薄膜层形成所述待刻蚀基体, 所述薄膜层的折射率大 于所述衬底的折射率。 4.如权利衬 底上形成有待刻蚀基体, 所述待刻蚀基体为无机材料之后, 所述光波导制备方法还包括: 于所述衬底上刻蚀选择比为1。 3.如权利要求1所述的光波导制备方法, 其特征在于, 在执行所述提供一衬底, 所述所述待刻蚀基体上形成目标光栅。 2.如权利要求1所述的光波导制备方法, 其特征在于, 所述干法刻蚀的掩膜; 以及 采用干法刻蚀对所述纳米压印掩膜和所述待刻蚀基体进行刻蚀, 以除去纳米压印掩 膜, 并在待刻蚀基体为无机材料; 于所述待刻蚀基体一侧涂覆光刻胶; 对所述光刻胶进行纳米压印, 以形成纳米压印一种光波导制备方法, 其特征在于, 包括以下步骤: 提供一衬底, 所述衬底上形成有待刻蚀基体, 所述页 附图3页 CN 111983752 A 2020.11.24 CN 111983752 A 1.的可靠性, 不容易出现变黄的问题, 有 助于提升光波导的美观性和使用效果。 权利要求书1页 说明书6 在采用干法刻蚀在待刻蚀基体上形成目标光栅, 所形成的目标光栅为无机材料, 使目标光栅能够 具有较高以除去纳米 压印掩膜, 并在所述待刻蚀基体上形成目标光 栅。 本发明通过采用无机材料作为待刻蚀基体,纳米压印, 以形成 纳米压印掩膜; 以及采用干法刻蚀对所述纳米压 印掩膜和所述待刻蚀基体进行刻蚀, 成有待刻蚀基体, 所述待 刻蚀基体为无机材料; 于所述待刻蚀基体一侧涂 覆光刻胶; 对所述光刻胶进行光波导制备方法及光波导, 其中, 所述光波导制备方法, 包括以下步骤: 提供 一衬底, 所述衬底上形6/136(2006.01) (54)发明名称 光波导制备方法及光波导 (57)摘要 本发明公开一种4287 代理人 关向兰 (51)Int.Cl. G02B 6/124(2006.01) G02B 杜凯凯赵东峰李琨臧法珩 赵恩程鑫杨镇源 (74)专利代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代 理事务所 4尔股份有限公司 地址 261031 山东省潍坊市高新技术产业 开发区东方路268号 (72)发明人 21)申请号 202011094131.2 (22)申请日 2020.10.14 (71)申请人 歌19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日

注意事项

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