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抗dvdt的SGT器件

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抗dvdt的SGT器件

区、 第二导 电类型的重掺杂接触区直接接触。 7.根据权利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件, 其, 所述源极金属的下表面与第 二导电类型的重掺杂接触区直接接触, 源极金属的侧面还与第一导电类型的源的源区与第二导电类型的重掺杂接触区。 6.根据权利要求5所述的抗dv/dt的SGT器件, 其特征在于的外围, 且位于第一导电类型的外延层的上表面; 所述第二导电类 型的体区中具有相互接触的第一导电类型的抗dv/dt的SGT器件, 其特征在于, 所述SGT器件还包括: 第二导 电类型的体区, 位于沟槽t的SGT器件, 其特征在于, 所述宽部栅极、 窄部栅极与 源极金属电连接。 5.根据权利要求1所述宽度大于窄 部栅极的宽度, 且宽部栅极的长度小于窄部栅极的长度。 4.根据权利要求2所述的抗dv/d伸的方向间隔排布。 3.根据权利要求2所述的抗dv/dt的SGT器件, 其特征在于, 所述宽部栅极的一个宽部 栅极及若干个窄部栅极, 且宽部栅极位于窄部栅极的上方; 所述若干个窄部栅极沿垂直于 沟槽延的侧 壁相接触。 2.根据权利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件, 其特征在于, 所述屏蔽栅极包括外延层的厚度 方向延伸; 第二介质层, 位于沟槽的上表面, 且沿垂直于沟槽的延伸方向延伸至与源极金属电类型的轻掺杂体区的上表面之间; 源极金属, 位于第一导电类型的外延层侧面上方, 且沿第一导电类型的区, 位于屏蔽栅极外围的第一介质层与沟槽的下部侧壁之 间, 以及位于屏蔽栅极外围的第一介质层与第一导栅极; 第一导电类型的轻掺杂体区, 位于沟槽的底部, 且位于屏蔽栅极的下方; 第一导电类型的重掺杂体栅极; 第一介质层, 位于屏蔽栅极的底面及侧面、 多晶硅栅极的侧面, 以及用于隔离多晶硅栅 极与屏蔽于第一导电类型的外延层内, 且沿第一导电类型的外延层的厚度方向延伸; 所述沟槽内设有多晶硅栅极和屏蔽 包括: 第一导电类型的衬底; 第一导电类型的外延层, 位于第一导电类型的衬底的上表面; 沟槽, 位2020.11.24 CN 111987074 A 1.一种抗dv/dt的SGT器件, 其特征在于,压震荡 dv/dt失效可能性。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 111987074 A 沟槽内的 多晶硅栅极和屏蔽栅极。 本发明可以增大漏源电 容Cds, 减少开关震荡, 从而减少器件的电掺杂体区、 位于 第一导电类型的外延层侧面上方的源极金属、 位 于沟槽上表面的第二介质层, 以及位于、 第一介质层、 位于沟 槽底部的第一导电类型的轻掺杂体区、 位于第一 介质层外围的第一导电类型的重衬底、 位于第一导电类型的衬底 的上表面的第一导电类型的外延层、 位于第一导 电类型的外延层内的沟槽v/dt的SGT器件 (57)摘要 本发明公开一种抗dv/dt的SGT器件, 包括: 第一导电类型的 29/78(2006.01) H01L 29/423(2006.01) (54)发明名称 一种抗d4 代理人 彭西洋袁曼曼 (51)Int.Cl. H01L 23/552(2006.01) H01L (72)发明人 郭乔林泳浩李伟聪 (74)专利代理机构 深圳市中科创为专利代理有 限公司 4438圳市威兆半导体有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街 道田寮工业A区田寮大厦111521)申请号 202011065162.5 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人 深19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日

注意事项

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