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AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延片和制备方法

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AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延片和制备方法

法, 其特征在于, 包括以下步骤: (S1)选择衬底; (S2)于所述衬底表面形成一层单层的BN缓冲mGa1-mN, Al组分含量m的取值范围为: ym1。 10.AlGaN基深紫外发光二极管的制备方 9.根据权利要求7所述的AlGaN基深紫外发光二极管, 其特征在于, 所述p型AlGaN层为 Al多量子阱层中, AlxGa1-xN为 阱层, AlyGa1-yN为垒层, 且Al组分含量0 xy1。-xN/ AlyGa1-yN多量子阱层中Al组分含量xy,所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN型GaN层。 8.根据权利要求7所述的AlGaN基深紫外发光二极管, 其特征在于, 所述AlxGa1aN外延片依次生长形成的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层、 p型 AlGaN层、 p深紫外发光二极管, 其特征在于, 包括根据权利要求1至6中任一所述的 AlGaN外延片和于所述AlGAlGaN外延片, 其特征在于, 所述单层图形化BN缓冲层的图形 为圆形或六边形。 7.AlGaN基 其特征在于, 所述单层图形化BN缓冲层被设置 通过离子束刻蚀的方式获取。 6.根据权利要求1所述的气相沉积法或物理气相沉积法生长形成后转移至所述衬底表面。 5.根据权利要求1所述的AlGaN外延片, 4.根据权利要求1所述的AlGaN外延片, 其特征在于, 所述单层图形化BN缓冲层被设置 采用化学在于, 所述单层图形化BN缓冲层被设置 采用化学气相沉积法或物理气相沉积法直接在所述衬底上生长形成。为蓝宝石衬底、 硅衬底、 碳化硅衬底中的任一种。 3.根据权利要求1所述的AlGaN外延片, 其特征单层图形化BN缓冲层作为缓冲层。 2.根据权利要求1所述的AlGaN外延片, 其特征在于, 所述衬底延片, 其特征在于, 由下而上依次包括: 衬底、 单层图形化BN缓冲层、 AlGaN 层, 其中所述 CN 111987197 A 2020.11.24 CN 111987197 A 1.AlGaN外延片的位错密度, 从而 提高所述AlGaN外延片的内量子效率。 权利要求书2页 说明书7页 附图2页时成核中心位置均匀性和 密度的可控, 以此提升所述AlGaN外延片的结晶 质量和降低所述AlGaN外好的外延兼容性; 此外, 利用图形 化BN缓冲层的图形密度和图形大小可控的特点, 可以实现氮化物生长 可以有效地降低外延层中的应力大 小; 利用单层BN与外延层同属III族氮化物的特 性, 可以获得较所述AlGaN外延片采用单层图形化BN 缓冲层作为缓冲层, 利用单层BN的层间采用范德 华力的特点,AlGaN基深紫外发光二极管及其 AlGaN外延片和制备方法, 所述AlGaN基深紫外发 光二极管和4)发明名称 AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延 片和制备方法 (57)摘要 本发明涉及010.01) H01L 33/06(2010.01) H01L 33/00(2010.01) (5理事 务所(普通合伙) 44316 代理人 曹卫良 (51)Int.Cl. H01L 33/12(2888号 (72)发明人 孙晓娟隋佳恩蒋科张山丽 石芝铭 (74)专利代理机构 深圳市科进知识产权代国科学院长春光学精密机械与物 理研究所 地址 130033 吉林省长春市经济技术开发 区东南湖大路321)申请号 202011050018.4 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 中19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日

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