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高压ESD结构

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高压ESD结构

部漏区其重掺杂N型区的边界 向其内部缩进1微米。 5.如权利要求1所述的高压ESD结构, 其特征是:部缩小, 使其与有源区边界的间距扩大。 4.如权利要求3所述的高压ESD结构, 其特征是: 所述的底 3.如权利要求1所述的高压ESD结构, 其特征是: 所述的底部漏区, 其重掺杂N型区的边 界向其内利要求1所述的高压ESD结构, 其特征是: 所述顶部漏区的有源区边界与接触孔 的距离不小于20微米。内侧还具有多晶硅层; 所述重掺杂P型区在垂直投影方向上向内 侧延伸且超过多晶硅层的外边界。 2.如权区域, 具有重掺杂P型区及重掺杂N型区; 所述重掺杂N型区与重掺杂P型区 抵靠接触, 重掺杂N型区的的底部漏区中, 处于最底端的漏区中不具有接触孔, 靠近中心区域的漏区中具有 两列接触孔; 在底部圆角一段距离; 所述的底部漏区, 包含有重掺杂N型注入区, 所述重掺杂N型注入区的边界小于有源区; 所述 所述的接触区, 分为左右两组、 每组有多个的接触孔, 所述的左右两组接触孔接触孔与 有源区边界具有所述顶部漏区 的区域, 其有源区中包含有接触区, 有源区的边界在接触区之外, 与接触区间隔一段距离;且超过多晶硅层的第一弧形 长边; 在位于圆角矩形的中心区域的漏区中, 划分为顶部漏区及底部漏区, 在P型区的内侧还具有同样呈弧形的多晶硅层, 所 述重掺杂P型区的第二弧形长边在垂直投影方向上向内侧延伸有靠外侧的第一弧形长边和靠内侧的第二弧形长边; 所述第二弧 形长边与重掺杂N型区接触; 所述重掺杂的弧形的重掺杂N型区及重掺杂P型区, 互相平行且抵靠接触; 所述弧形的重掺 杂P型区位于外侧, 且其具; 在俯视平面上, 将所述的圆角矩形划分为顶部圆角以及底部圆角; 在顶部圆角的弧形 区域, 具有都成漏区位于圆角矩形的中心区域, 多晶硅栅极环绕围成圆角矩形的图形; 所 述高压ESD结构为左右对称结构ESD结构, 其特征在于: 所述高压ESD结构为平面版图呈圆角矩形的MOS管结 构, 其中MOS管的8页 CN 111987094 A 2020.11.24 CN 111987094 A 1.一种高压重掺杂N型区与有源区边界重 叠。 本发明器件结构能提高ESD能力。 权利要求书1页 说明书3页 附图近中心区域的漏区中具有两列接触 孔; 在底部圆角区域, 其重掺杂N型区与重掺杂P 型区抵靠接触, 且重掺杂N型注入区, 所述重掺杂N型注入 区的宽度小于有源区; 处于最底端的漏区中不具 有接触孔, 靠, 顶部漏区中包含有接触区, 有源区的边界 在接触区之外, 与接触区间隔一段距离; 底部漏 区包含有形区域, 具有重掺杂N型区及重掺杂P型区, 互相 平行且抵靠接触; 将漏区划分为顶部漏区及底部 漏区圆角矩 形的中心区域; 在俯视平面上将所述的圆角矩形 划分为顶部圆角以及底部圆角; 在顶部圆角的弧 (57)摘要 本发明公开了一种高压ESD结构, 是平面版 图呈圆角矩形的MOS管结构, 其漏区位于健 (51)Int.Cl. H01L 27/02(2006.01) (54)发明名称 高压ESD结构(72)发明人 韦敏侠 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 代理人 焦海华虹宏力半导体制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技 园区祖冲之路1399号 21)申请号 202011049234.7 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 上19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日

注意事项

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