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IBC太阳能电池结构及其制备工艺

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IBC太阳能电池结构及其制备工艺

抛光, 去除背面扩散层和侧面导电通 道; S5、 在氧化炉中对n型单晶硅片进行热氧化, 在正面形成氧硅片的正面进行局 域掺杂, 形成正面pn结发射区; S3、 用酸或减溶液对n型单晶硅片的背面进行刻蚀 制备出金字塔形状的绒面结构; S2、 在所述n型单晶硅片的正面进行进行硼扩散形成p层, 对n型单晶的制备工艺, 其特征在于, 所述制备工艺包括以下步骤: S1、 对n型单晶硅片的正面和反面进行制绒,In2O3、 Ga2O3、 TiO2、 ZrO2中的一种或多种混合物。 6.一种IBC太阳能电池结构电池结构, 其特征在于, 所述背面导电保护层构造 为透明导电TCO保护层, 所述TCO选自ZnO、 , 其特征在于, 所述p型扩散层通过硼扩散 或硼离子注入形成。 5.根据权利要求1所述的IBC太阳能述减反射层, 所述氧化硅层贴 合设置于所述p型扩散层。 4.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构结构, 其特征在于, 所述正面钝化膜层包括层 叠设置的氧化铝层和氧化硅层, 所述氧化铝层贴合设置于所层为氧化硅、 氮 化硅、 氮氧化硅、 氟化镁中一种或多种。 3.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池整贴附于所述背面钝化膜层。 2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构, 其特征在于, 所述减反射型有机异质结层, 所述p型有机异质结层和n型有 机异质结层中间有形成空间隔离区; 所述有机异质结层平有正面p+型发射区; 所述背面形成图形化的有机异质结层, 所 述有机异质结层包括p型有机异质结层和n单晶硅基底层包括正面和背面, 所述正面构造为绒面结构; 所述正面包括p型 扩散层且所述p型扩散层形成散层、 n型单晶硅基底层、 背面钝化膜层、 有机异质结层、 背面导电保护层、 背面电 极; 所述n型1.一种IBC太阳能电池结构, 其特征在于, 包括依次层叠设置的减反射层、 正面钝化膜 层、 p型扩书4页 附图1页 CN 111987225 A 2020.11.24 CN 111987225 A 结膜层, 而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结 构, 可以大幅提升电池光学性能。 权利要求书2页 说明制备工艺。 本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电 池背面, 保证形成均匀、 高质量的有机杂化异质机异质结层和n型有 机异质结层中间有形成空间隔离区; 本发明也相 应地公开上述IBC太阳能电池结构的形成图形化的有机异质结 层, 所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n 型有机异质结层, 所述p型有底层、 背面钝化膜层、 有机 异质结层、 背面导电保护层、 背面电极; 所述n型 单晶硅基底层的背面IBC太阳能电池结构, 包 括依次层叠设置的减反射层、 正面钝化膜层、 p型 扩散层、 n型单晶硅基06.01) (54)发明名称 一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺 (57)摘要 本发明公开了一种L 51/44(2006.01) H01L 51/00(2006.01) H01L 51/48(20司 32232 代理人 杨敏 (51)Int.Cl. H01L 51/42(2006.01) H012)发明人 赵保星魏青竹倪志春张树德 符欣连维飞 (74)专利代理机构 苏州华博知识产权代理有限 公州腾晖光伏技术有限公司 地址 215500 江苏省苏州市常熟市沙家浜 镇常昆工业园区腾晖路1号 (721)申请号 202011011919.2 (22)申请日 2020.09.23 (71)申请人 苏19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日

注意事项

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